11月12日下午，瑞典林雪平大学首席研究员、保加利亚科学院科学家Daniela Gogova教授应我院唐为华教授邀请，在南京邮电大学集成电路科学与工程学院（产教融合学院）浦口一号办公楼310会议室作题为《Developing next generation high-power Ga2O3 material》的学术报告。报告由唐为华教授主持，学院相关研究领域的教师和研究生参加。
Gogova教授从超宽禁带半导体氧化镓的材料优势、应用前景出发，为大家剖析了近年来氧化镓成为世界性研究热点的原因；并基于自己的研究成果，介绍了其首创的Hot-wall MOCVD技术，分享了该技术在制备高质量氧化镓同质/异质外延材料方面的先进性。学术报告过程中， Gogova教授与参会的老师和同学进行了热烈讨论。随后，IC-GAO课题组的博士研究生以学术报告的形式展示了自己的研究进展，Gogova教授对各位博士生的研究工作进行了点评并高度称赞其研究的重要性。
本次学术交流持续了近三个小时，现场学术氛围浓厚，不仅为我院师生提供了宝贵的外语交流机会，也拓展了大家在氧化镓领域的国际性视野和思维。
图文：李山 初审：唐为华 编辑：唐丽 审核：于志浩
